晶圆硅片钻孔微小孔来图定制

联系人:张经理 硅片的分类： 硅片规格有多种分类方法，可以按照硅片直径：4寸、6寸、12寸、3英寸、2英寸；单晶生长方法：单晶硅片、多晶硅片；掺杂类型：N型、P型等参量和用途来划分种类。 1.激光切割、划片是非机械式的，属于非接触式加工，可以避免出现芯片破碎和其他损坏现象。 2.激光切割、划片采用的高光束质量的光纤激光器对芯片的电性影响较小，可以提高更高的切割成品率。 3.激光切割速度为150mm/s。切割速度较快。 4.激光可以切割厚度较薄的晶圆，可以胜任不同厚度的晶圆划片。 5.激光可以切割一些较为复杂的晶圆芯片，如六边形管芯等。 6.激光切割不需要去离子水，不存在刀具磨损问题，可连续24小时作业。 7.激光具有很好的兼容性，对于不同的晶圆片，激光切割具有更好的兼容性和通用性。 随着硅半导体集成电路的广泛应用，硅半导体集成电路都要用到晶圆，传统的晶圆切割方法，都是手工采用金刚石刀进行切割，在晶圆上划分出若干个圆环，在划分出的圆环上切割出面积相等或者近似相等的小圆弧体。或者采用的是非均匀圆环、同一圆心角内进行切割的切割方法，这种晶圆切割方法的耗材大，经常要更换刀具，切割出来的晶圆芯片相距的宽度比较大，不均匀，所能切割的材料单一，适用性差，效率低下。 因此晶圆激光切割的方法工作效率高、能精确地调整待切割晶圆的各个方向的位置、精度高、全自动运行，对晶圆切割的位置进行准确定位，切割出来的晶圆芯片均匀、美观，能切割多种材料，适应性强，可以避免薄晶圆因切割破裂 晶圆是制造IC的基本原料，而晶圆便是硅元素加以纯化，接着将这些纯硅制成长硅晶棒，成为制造积体电路的石英半导体的材料，再经过照相制版、研磨、抛光、切片等程序，将多晶硅融解后拉出单晶硅晶棒，然后切割成一片一片薄薄的晶圆。 晶圆（Wafer）是指硅半导体集成电路制作所用的硅芯片，由于其形状为圆形，故称为晶圆。晶圆是生产集成电路所用的载体，一般意义晶圆多指单晶硅圆片。 晶圆是 常用的半导体材料，按其直径分为4英寸、5英寸、6英寸、8英寸等规格，近来发展出12英寸甚至研发更大规格（14英吋、15英吋、16英吋、……20英吋以上等）。 半导体晶圆片切割的非晶硅单晶硅多晶硅,半导体晶圆片切割，氮化镓,铜铟镓硒， ,等多种基材的精细切割钻孔，蚀刻，微结构,打标和改片切圆异形皆可,厚度-般不超过半导体晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片，其原始材料是硅。高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种，然后慢慢拉出，形成圆柱形的单晶硅。硅晶棒在经过研磨，抛光，切片后，形成硅晶圆片，也就是晶圆。国内晶圆生产线以 8英寸和 12 英寸为主。晶圆的主要加工方式承接0.05mm-2mm各种激光切割、开孔钻孔、划线、开槽、刻图形字体，各种透光材质都可做，价格优惠打孔厚度0.1mm-40mm 小孔径0.05mm 大孔径90mm尺寸公差 ≥±0.02mm