晶圆硅片钻孔微小孔来图定制
揭阳2023-08-07 13:06:25
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联系人:张经理
硅片的分类:
硅片规格有多种分类方法,可以按照硅片直径:4寸、6寸、12寸、3英寸、2英寸;单晶生长方法:单晶硅片、多晶硅片;掺杂类型:N型、P型等参量和用途来划分种类。
1.激光切割、划片是非机械式的,属于非接触式加工,可以避免出现芯片破碎和其他损坏现象。
2.激光切割、划片采用的高光束质量的光纤激光器对芯片的电性影响较小,可以提高更高的切割成品率。
3.激光切割速度为150mm/s。切割速度较快。
4.激光可以切割厚度较薄的晶圆,可以胜任不同厚度的晶圆划片。
5.激光可以切割一些较为复杂的晶圆芯片,如六边形管芯等。
6.激光切割不需要去离子水,不存在刀具磨损问题,可连续24小时作业。
7.激光具有很好的兼容性,对于不同的晶圆片,激光切割具有更好的兼容性和通用性。
随着硅半导体集成电路的广泛应用,硅半导体集成电路都要用到晶圆,传统的晶圆切割方法,都是手工采用金刚石刀进行切割,在晶圆上划分出若干个圆环,在划分出的圆环上切割出面积相等或者近似相等的小圆弧体。或者采用的是非均匀圆环、同一圆心角内进行切割的切割方法,这种晶圆切割方法的耗材大,经常要更换刀具,切割出来的晶圆芯片相距的宽度比较大,不均匀,所能切割的材料单一,适用性差,效率低下。
因此晶圆激光切割的方法工作效率高、能精确地调整待切割晶圆的各个方向的位置、精度高、全自动运行,对晶圆切割的位置进行准确定位,切割出来的晶圆芯片均匀、美观,能切割多种材料,适应性强,可以避免薄晶圆因切割破裂
晶圆是制造IC的基本原料,而晶圆便是硅元素加以纯化,接着将这些纯硅制成长硅晶棒,成为制造积体电路的石英半导体的材料,再经过照相制版、研磨、抛光、切片等程序,将多晶硅融解后拉出单晶硅晶棒,然后切割成一片一片薄薄的晶圆。
晶圆(Wafer)是指硅半导体集成电路制作所用的硅芯片,由于其形状为圆形,故称为晶圆。晶圆是生产集成电路所用的载体,一般意义晶圆多指单晶硅圆片。
晶圆是 常用的半导体材料,按其直径分为4英寸、5英寸、6英寸、8英寸等规格,近来发展出12英寸甚至研发更大规格(14英吋、15英吋、16英吋、……20英吋以上等)。
半导体晶圆片切割的非晶硅单晶硅多晶硅,半导体晶圆片切割,氮化镓,铜铟镓硒, ,等多种基材的精细切割钻孔,蚀刻,微结构,打标和改片切圆异形皆可,厚度-般不超过半导体晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片,其原始材料是硅。高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种,然后慢慢拉出,形成圆柱形的单晶硅。硅晶棒在经过研磨,抛光,切片后,形成硅晶圆片,也就是晶圆。国内晶圆生产线以 8英寸和 12 英寸为主。晶圆的主要加工方式承接0.05mm-2mm各种激光切割、开孔钻孔、划线、开槽、刻图形字体,各种透光材质都可做,价格优惠打孔厚度0.1mm-40mm 小孔径0.05mm 大孔径90mm尺寸公差 ≥±0.02mm
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